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在半揭示“行業(yè)領(lǐng)先”n溝道m(xù)osfet
在半導(dǎo)體也引入了一個新的家庭6 n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)的設(shè)計和優(yōu)化提供業(yè)界領(lǐng)先的效率相比,市場上現(xiàn)有的設(shè)備。
新NTMFS4Hxxx和mosfet NTTFS4Hxxx系列適合作為開關(guān)設(shè)備廣泛的應(yīng)用程序包括服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和高功率密度直流-直流轉(zhuǎn)換器,或支持同步整流point-of-load(PoL)模塊。版本的這些場效電晶體都可以有或沒有一個集成肖特基二極管,可以幫助工程師達(dá)到更大的效率。
在半導(dǎo)體宣稱一流RDSon性能0.7 milliohms(mΩ)和低的輸入電容3780 picofarads(pF)確保傳導(dǎo),切換和司機(jī)損失最小化。
據(jù)該公司介紹,也被仔細(xì)的考慮,以確保mosfet提供改進(jìn)的熱力性能和較低的包電阻和電感相比,現(xiàn)有的設(shè)備。
“最佳整體效率來源于最小化損失通過傳導(dǎo)和非常高的愿望列表切換設(shè)計師越來越多的終端市場,”保羅·倫納德說,副總裁和總經(jīng)理在半導(dǎo)體功率離散的產(chǎn)品。“通過利用我們的過程,材料和包裝專業(yè)知識我們能夠推進(jìn)功率場效應(yīng)管的性能提高到一個新的水平,這將幫助我們的客戶實現(xiàn)他們的嚴(yán)格的設(shè)計性能目標(biāo)。”
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