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臺積電GUC公布前16 nm IP
全球Unichip已經(jīng)成功證明16納米硅DDR4 IP在臺積電,這使得GUC最早的IP可供臺積電的16 nm FinFET(16 ff)的過程。
新16 ff DDR4 PHY IP運(yùn)行高達(dá)每秒3.2 gb(Gbps),增加50%的速度超過前代DDR3 IP,同時(shí)減少能量以同樣的速度增長了25%。
它充分利用16臺積電的ff過程,實(shí)現(xiàn)3.5 gbps速度外環(huán)回測試和運(yùn)行寫/讀操作2.7 gbps,2.4 gbps DDR4 DRAM成功。
的new16FF DDR4 IP特性DRAM鏈接起來,堆芯功率減少40%相比,在相同的速度DDR3 IP 28 nm制程技術(shù)。GUC 16個(gè)ff DDR4 IP結(jié)果第一次亮相,臺積電北美技術(shù)研討會(huì)4月22日,2014年。
16 ff DDR4 IP層是建立在物理層的培訓(xùn)模式,容易靴子,節(jié)省計(jì)算時(shí)間和優(yōu)化數(shù)據(jù)選通定位。規(guī)范用于測試芯片還呼吁使用ASE的倒裝芯片方案(FCBGA)和多層建立基質(zhì)由南亞PCB制造。新的IP目標(biāo)多種高速網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器應(yīng)用程序。
“這16 ff DDR4 IP代表一個(gè)真正的設(shè)計(jì)突破。是最高的性能DDR4 IP目標(biāo)臺積電的16 nm制程和代表早期先進(jìn)技術(shù)設(shè)計(jì)人員開始工作的機(jī)會(huì)在他們的下一代設(shè)備,”吉姆·賴說總統(tǒng)GUC。
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