|
東芝推出下一代低壓mosfet
東芝電子歐洲(三通)宣布其最新的家庭的低壓,ultra-efficiency Trench-MOSFETs基于公司的下一代U-MOS IX-H半導(dǎo)體過程。
新mosfet承諾行業(yè)領(lǐng)先RDS(上)QOSS(電阻輸出充電產(chǎn)品)這類設(shè)備的品質(zhì)因數(shù)。最初在40 v版本可用,家庭在未來幾個(gè)月將擴(kuò)展設(shè)備提供30 v 60 v的評(píng)級(jí)。
第一個(gè)設(shè)備系列的典型RDS(上)只有0.7 mΩ(max 0.85 mΩ)和一個(gè)典型的輸出電容(輸出電容)1930 pf。額定40 v,TPHR8504PL提供在一個(gè)ultra-miniature SOP-Advance包僅5毫米x 6毫米
目標(biāo)應(yīng)用程序第九代U-MOS家庭包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、同步整流和其他電源管理電路低功耗運(yùn)行,高速開關(guān)和最小PCB房地產(chǎn)是必要的。
U-MOS IX-H mosfet非常適合高端和下部開關(guān)直流-直流轉(zhuǎn)換器和二次側(cè)同步整流的交直流轉(zhuǎn)換電路。通過改善RDS(上)一個(gè)值,U-MOS IX-H技術(shù)支持模大小減少65%相同的RDS(上)——或RDS(上)減少65%相比,同樣的模具尺寸40 v UMOS VI-H一代。此外,一個(gè)更好的輸出電荷之間的權(quán)衡(Qoss)和RDS(上)會(huì)增加效率。因此U-MOS IX-H場(chǎng)效電晶體可以幫助設(shè)計(jì)師來減少能耗和設(shè)備的尺寸。
設(shè)計(jì)師可以選擇從各種各樣的表面安裝包,在未來,還一個(gè)選項(xiàng),提供dual-side冷卻。
船型開關(guān)http://www.gastrotommy.com |
當(dāng)前位置:
