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理查森RFPD襪1000 V、120 mΩ碳化硅功率MOSFET
理查森RFPD已經(jīng)宣布C3M0120100K碳化硅功率MOSFET的可用性和全部設(shè)計(jì)支持能力，從狼速，一個Cree公司。
1000 V,120 mΩWolfspeed C3M SiC MOSFET的科技設(shè)備特性和可優(yōu)化的四位主演- 247 - 4包與一個單獨(dú)的驅(qū)動程序源代碼銷。其特點(diǎn)是漏極與源之間的漏電距離為8mm，通阻低的高阻塞電壓，低電容的高速開關(guān)，低反向恢復(fù)的內(nèi)部二極管(Qrr)快。
適用于可再生能源、電動汽車蓄電池充電器、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
C3M0120100K的主要特點(diǎn)包括:
漏源電壓(Vds max): 1000v
連續(xù)漏電流(Id)在25°C:22
mΩRds(上):120
門總費(fèi)用(Qg): 21.5 nC
最大結(jié)溫:150°C
輸出電容(Coss): 40pf
反向回收費(fèi)用(Qrr): 154 nC
反向恢復(fù)時間(Trr): 16ns
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