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硅電容器實(shí)現(xiàn)了破壞性技術(shù)
RS組件(RS)已經(jīng)從村田公司(Murata)推出了一系列新型的硅電容器，它們實(shí)現(xiàn)了一種創(chuàng)新的、顛覆性的技術(shù)。
Murata的專利技術(shù)集成了被動(dòng)式解決方案，使得硅中電容值的集成范圍更廣，從而使該范圍適用于許多需要高性能和微型化的應(yīng)用。SiCap范圍內(nèi)的高要求應(yīng)用包括空間受限的設(shè)計(jì)，特別是超寬帶設(shè)計(jì)，以及射頻/微波和高溫應(yīng)用。
Murata SiCaps提供了更好的溫度、電壓和老化性能穩(wěn)定性，超過(guò)了其他電容器技術(shù)提供的穩(wěn)定性，使它們非常適合以穩(wěn)定性和可靠性為主要參數(shù)的高要求應(yīng)用。這些產(chǎn)品和系統(tǒng)需要非常可靠的部件，如航空、航空電子設(shè)備和汽車(chē)市場(chǎng)，以及醫(yī)療植入物。
基于嵌入在單晶基片上的整體結(jié)構(gòu)，高密度硅電容器已經(jīng)使用金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)工藝開(kāi)發(fā)，并使用第三維度(或高度)來(lái)大幅增加表面積——因此增加電容——而不增加器件的足跡。
日本村田公司的SiCap范圍包括低調(diào)的設(shè)備不足100µm厚為解耦等重要空間內(nèi)應(yīng)用IC脫鉤或MOS-based傳感器、寬帶模塊和射頻識(shí)別產(chǎn)品。也有高溫類型可以處理多達(dá)250°C穩(wěn)定性高;超寬帶類型的信號(hào)高達(dá)60GHz+;生產(chǎn)技術(shù)和高可靠性的醫(yī)療和電容器內(nèi)部應(yīng)用程序到200°C。
該系列的其他關(guān)鍵特性包括更短的互連，用于較低的封裝寄生蟲(chóng)，以及與所有封裝或裝配配置的兼容性，包括連接線、碰撞、層壓板、引擎蓋和晶片級(jí)芯片級(jí)封裝。
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