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IP提供程序創(chuàng)建低功耗的物聯(lián)網(wǎng)引用
en二氧化硅開(kāi)發(fā)了一個(gè)低功率物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)，使用SRAM IP專員，sureCore的EverOn和PowerMiser SRAM IP產(chǎn)品線。
sureCore IoT參考平臺(tái)針對(duì)的是可穿戴、消費(fèi)者和醫(yī)療應(yīng)用。它已經(jīng)用TSMC的商用40nm超低功耗(40ULP)工藝技術(shù)錄制出來(lái)。半導(dǎo)體和IP提供商解釋說(shuō)，40nm工藝集成了193nm浸入式光刻技術(shù)和超低k連接材料，提高了芯片性能，同時(shí)降低了功耗。40ULP工藝是專門為物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備開(kāi)發(fā)的，將泄漏電流降低高達(dá)70%，能耗比TSMC的低功率(LP)過(guò)程降低30%。
IoT參考平臺(tái)包含了低功耗SRAM IP提供商、surecore的EverOn和PowerMiser SRAM IP產(chǎn)品線的派生。該公司研究了傳統(tǒng)SRAM架構(gòu)的基本局限性，以開(kāi)發(fā)專利電路設(shè)計(jì)、架構(gòu)技術(shù)和輔助電路，并結(jié)合鑄造供應(yīng)的高密度SRAM比特單元，在接近閾值的位單元保持電壓下運(yùn)行。該公司表示，還可以實(shí)現(xiàn)顯著的動(dòng)態(tài)/靜態(tài)節(jié)能。EverOn能夠操作與1.21和0.6 v之間的電壓供應(yīng)商用40 ulp流程,跨越的過(guò)程,和-40 + 125°C的溫度范圍內(nèi)。PowerMiser SRAM家庭提供了超過(guò)50%的動(dòng)態(tài)電能節(jié)省和大約20%的靜態(tài)電能節(jié)省，而工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SRAM可用于商業(yè)上的40ULP過(guò)程。
EnSilic實(shí)現(xiàn)了低功耗參考平臺(tái)。埃里克·甘恩表示,該公司選擇sureCore首席運(yùn)營(yíng)官,“證明的經(jīng)驗(yàn)提供低功耗設(shè)計(jì)服務(wù)。利用閾值附近的一個(gè)顯而易見(jiàn)的了解電池供電的應(yīng)用程序設(shè)計(jì)可以滿足客戶的期望,我們知道EnSilica tape-out能夠進(jìn)行迅速成功。恩硅對(duì)我們技術(shù)的技術(shù)欣賞，以及對(duì)TSMC工藝的深入理解，確保了一條無(wú)痛的退出之路。
首席執(zhí)行官伊恩Lankshear EnSilica補(bǔ)充道:“(sureCore)EverOn和PowerMiser SRAM IPs被證明改變?yōu)镾oC開(kāi)發(fā)者提供超低功率時(shí),area-efficient記憶和其新,超低功率參考物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)似乎犯同樣的影響下一代的可穿戴的消費(fèi)者和醫(yī)療應(yīng)用程序。”
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