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600 V E系列功率MOSFET降低傳導
Vishay Intertechnology在其第四代600 V E系列功率mosfet中推出了第一款器件。
Vishay Siliconix n-channel SiHP065N60E為電信、工業(yè)和企業(yè)供電應(yīng)用提供了高效率，與之前的600 V E系列mosfet相比，Vishay Siliconix n-channel SiHP065N60E降低了30%的通電阻，同時降低了44%的門禁費用。這就導致了最低的柵極充電次數(shù)的通電阻，這是一個關(guān)鍵的數(shù)字優(yōu)點(FOM)為600 V mosfet用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
Vishay市場開發(fā)高級總監(jiān)David Grey說:“我們致力于為客戶提供廣泛的MOSFET技術(shù)，支持從高壓輸入到最新電子系統(tǒng)所需的低壓輸出的所有功率轉(zhuǎn)換過程。”“通過SiHP065N60E和即將推出的第四代600 V E系列，我們正在解決在電力系統(tǒng)架構(gòu)的第一階段——功率因數(shù)校正和隨后的高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊——對效率和功率密度的改進需求。”
建立在威世的最新節(jié)能E系列superjunction技術(shù),SiHP065N60E特性最大導通電阻低0.065Ω10 V和超低門口收取49數(shù)控。2.8Ω*數(shù)控設(shè)備的FOM的比最接近的競爭對手低25% MOSFET在同一個班。為了提高開關(guān)性能，SiHP065N60E分別提供了93 pf和593 pf的低有效輸出電容Co(er)和Co(tr)。在電信、工業(yè)和企業(yè)電力系統(tǒng)的功率因數(shù)校正和硬交換DC/DC轉(zhuǎn)換器拓撲中，這些值轉(zhuǎn)化為降低傳導和開關(guān)損耗以節(jié)省能源。
在to - 220ab包中提供，今天發(fā)布的設(shè)備是rohs兼容的，無鹵素的，設(shè)計用于承受雪崩模式下的過電壓瞬變，通過100%的UIS測試保證了極限。
SiHP065N60E的樣品和生產(chǎn)數(shù)量已經(jīng)有了，交貨時間為10周。
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