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定制的固態(tài)繼電器解決方案基于CMOS隔離技術
發(fā)布者: 發(fā)布時間:2016/11/5 18:45:31 閱讀:

定制的固態(tài)繼電器解決方案基于CMOS隔離技術

 

硅實驗室引入了一種cmos的孤立的場效應晶體管(FET)司機的家人,使開發(fā)人員能夠使用特定于應用程序的選擇,高容量的場效應晶體管取代過時的機電式繼電器(電子病歷)和optocoupler-based固態(tài)繼電器(SSRs)。

 

Si875x家族的新特性第一隔離場效應晶體管驅動設計轉換功率在一個集成CMOS隔離屏障,不再需要孤立二級交換機一端電力供應和降低系統(tǒng)成本和復雜性。當搭配一個離散的場效應晶體管,Si875x司機提供優(yōu)秀的EMR / SSR電機和閥門控制器的替代解決方案,HVAC繼電器、電池監(jiān)測、AC電源線路和通訊開關、戊肝病毒/電動汽車充電系統(tǒng),和其他工業(yè)和汽車應用。

 

開發(fā)人員通常使用電子病歷和optocoupler-based SSRs在切換應用程序中,和兩個技術有局限性。電子病歷是昂貴的,緩慢的,笨重而且吵了。這些缺點駕駛SSR使用兩位數(shù)增長,但即使SSRs構成挑戰(zhàn)。Optocoupler-based SSRs的固有局限性,如短壽命由于老化,性能和穩(wěn)定性在更高的溫度,減少和降低噪聲免疫力。他們也用一個有限的選擇場效應晶體管集成,進一步影響性能、成本和權力。

 

實驗室的硅cmos Si875x隔離場效應晶體管驅動程序提供一個更好的選擇,降低了應用系統(tǒng)和電力成本和提高性能的SSRs或電子病歷。自Si875x司機不要使用發(fā)光二極管或光學組件,它們提供了優(yōu)越的穩(wěn)定性隨時間和溫度。小型Si875x設備提供完全沉默的切換,使他們理想的替代解決方案笨重的電子病歷,受限于電氣開關噪聲和磨損問題,以及大規(guī)模生產的挑戰(zhàn)。

 

Si875x設備驅動場效應晶體管蓋茨名義10.3 V使用很低1 mA輸入為1.1 ms開機時間。輸入電流增加到10馬使94µs異常快速開機時間。一個獨特的力量優(yōu)化選擇提供最大刺激電流速度快,然后降低90%的靜態(tài)保持電流一旦可選的外部限制排放。靈活的2.25 V至5.5 V輸入側電壓支持無縫連接到低功耗控制器。Si875x司機還功能可選米勒夾的能力,以防止意外打開外部的場效應晶體管。

 

Si875x設備2.5 kVrms隔離等級,可以在完整的工業(yè)和汽車的溫度范圍(+ 125攝氏度),旨在滿足嚴格的UL,CSA,VDE,CQC標準。多功能輸入提供數(shù)字CMOS銷控制(Si8751設備)或二極管仿真(Si8752設備)最適合目標應用程序,和靈活的輸出支持交流和直流負載配置。

 

“健壯的獨特組合,可靠cmos的隔離技術和革命性的能力轉換功率隔離屏障,硅實驗室的Si875x司機提供急需的過時的電子病歷和optocoupler-based SSRs的替代解決方案,”副總裁羅斯Sabolcik說硅實驗室的電源產品。“新Si875x家庭給開發(fā)人員靈活地選擇一個有效的場效應晶體管定制他們的應用程序的需求,創(chuàng)建一個簡單的遷移到先進的固態(tài)開關。”

 

Si875x隔離場效應晶體管驅動家庭集錦

第一個CMOS isolation-based SSR的解決方案,支持應用程序特定的場效應晶體管

 

優(yōu)秀的噪聲免疫力,高可靠性和2.5 kVrms隔離評級

 

在高壓條件下長壽命在1000 V(100年)

 

高效的切換:10.3 V門口只有1 mA的輸入電流

 

寬輸入電壓為2.25 V至5.5 V使電能節(jié)約

 

獨特的銷功能優(yōu)化功耗/開關時間的權衡

 

米勒夾緊防止意外打開外部場效應晶體管

 

小SOIC-8包集成隔離和功率電容器低功耗應用

 

AEC-Q100-qualified生產設備選項

 

 

樣本Si875x隔離場效應晶體管驅動現(xiàn)在是可用的數(shù)量與生產計劃在2016年11月。Si875x設備進來一個小SOIC-8包裝工業(yè)(-40˚C + 105˚C)或汽車(-40˚C + 125˚C)環(huán)境溫度工作范圍的選擇。

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