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東芝聲稱MOSFET和更高的效率
東芝電子歐洲引入了第一個基于其高電壓800 v電力MOSFET DTMOS IV超級連接技術(shù)。
TK17A80W使用東芝的單一外延工藝,適合設(shè)備要求高可靠性、功率效率和緊湊的設(shè)計。
應(yīng)用程序?qū)娫春瓦m配器,飛回來轉(zhuǎn)換器和LED照明設(shè)備。
多外延過程相比,東芝的深溝技術(shù)提供了較低的導(dǎo)通電阻(RDS(上))在更高的溫度。
它還提供了減少斷開開關(guān)損失(eos)比先前技術(shù)代。的結(jié)合減少增加RDS(上)在高溫和減少eos為電力供應(yīng)提供了更高的效率和幫助設(shè)計師在最小化系統(tǒng)的大小。
第四DTMOS使更快的開關(guān)性能通過減少門之間的寄生電容和下水道。典型獨聯(lián)體TK17A80W只有1450 pf(@VDS = 300 v,f = 100 khz)。最大800 vds公司評級,17±30 vg和漏極電流。最大RDS(上)是0.3歐姆。
TK17A80W開始大規(guī)模生產(chǎn)在2014年第四季度完全孤立- 220 - sis包。樣品現(xiàn)在是可用的。進(jìn)一步的性能選項和- 220,DPAK和IPAK包。 |
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