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東芝冷卻場效電晶體
東芝電子歐洲(三通)宣布,其高效、低壓MOSFET技術(shù)現(xiàn)在可用在超小型DSOP提前包選項。
新包提供網(wǎng)上同時顯著提高散熱冷卻。這將有助于high-component-density應(yīng)用程序的設(shè)計者PCB溫度降到最低,提高性能沒有板空間處罰。
DSOP提前包共享相同的5毫米x 6毫米足跡SOP推進(jìn)裝置。比較測試操作溫度,當(dāng)與一個合適的結(jié)合使用散熱片- 30 v mosfet在電流超過30減少34%以上。此外,在一些設(shè)計的減少熱阻DSOP包可能支持消除散熱器。
東芝將提供DSOP提前包以其現(xiàn)有umo VIII-H及其新umo IX-H MOSFET技術(shù)的家庭。這些技術(shù)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的阻力(RDS(上))評級較低的輸出電容提供高效切換性能。DSOP推進(jìn)選項可以的場效應(yīng)管電壓等級的最初30 v到100 v。
目標(biāo)應(yīng)用程序為新DSOP推進(jìn)場效電晶體將包括高功率密度、高性能開關(guān)設(shè)計包括同步整流電路在服務(wù)器和電信電源設(shè)備,以及電動工具。 |
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