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東芝電子發(fā)射小型600 v superjunction功率場效應(yīng)管
東芝電子歐洲宣布下一代superjunction(SJ)DTMOS-IV功率MOSFET技術(shù)正在提供第一次在小輪廓,低調(diào)的DFN包裝。
新的600 v DTMOS-IV mosfet在DFN包將理想的高速開關(guān)電源、照明鎮(zhèn)流器和其他應(yīng)用程序需要一個節(jié)省空間的選擇更傳統(tǒng)的D2PAK和DPAK設(shè)備。
提供當(dāng)前的評級從9.7到30多一個,新設(shè)備在TKxV60W家族的600 v mosfet有超低電阻(RDS())的評分從0.38Ω僅0.098Ω。
一個領(lǐng)先的RDS()圖的優(yōu)點(diǎn)確保高效率開關(guān)而低輸出電容(輸出電容)支持優(yōu)化操作在輕負(fù)載。每個設(shè)備還包含一個額外的意義上銷為直接驅(qū)動連接。
根據(jù)東芝,DTMOS-IV過程提供一個更好的溫度場效電晶體,展覽RDS()系數(shù)比替代設(shè)備。
這允許效率效益意識到即使在高溫操作。與其它設(shè)備在東芝的DTMOS-IV家庭,新的DFN場效應(yīng)管有一個優(yōu)化門排水電容(Cgd),提供改進(jìn)的dv / dt開關(guān)控制。支持dv / dt低評級也有助于減少的趨勢在高速開關(guān)線路振鈴。
在8毫米x 8毫米了DFN包有一個輪廓,是20%小于一個D2PAK包。一個概要文件只有0.85毫米幾乎是三倍低于傳統(tǒng)的DPAK和5次以上低于一個D2PAK。
東芝采用深溝過程在其DTMOS-IV第四代單外延superjunction MOSFET。這允許接近溝距比第三代(多外延)過程,導(dǎo)致30%更好的開態(tài)電阻對于一個給定的死區(qū)。
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