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SST公布嵌入式SuperFlash資質(zhì)
微芯片技術(shù)宣布SST的第三代嵌入式超級閃存(ESF3)在110nm互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平臺上的資格和可用性。
SST的嵌入式超級閃存解決方案為智能卡、微控制器(MCU)和其他支持Flash的專業(yè)IC設(shè)計人員提供了低功耗、高可靠性、高數(shù)據(jù)保存性和高耐久性的優(yōu)點，具有高性價比的嵌入式閃存解決方案。在智能卡應(yīng)用程序中，快速的擦除時間和低功耗提供了一個獨特的低能量包，這對于支持低功耗應(yīng)用程序如近場通信(NFC)和雙接口智能卡至關(guān)重要。
SST的ESF3技術(shù)首次在8英寸110nm CMOS平臺上為無晶圓廠和集成器件制造商(IDMs)提供了高性價比的支持。這個ESF3平臺有30萬次的擦除和程序周期，非常適合智能卡和其他高耐久性IC設(shè)計。
“低功耗ESF3技術(shù)與先進的110nm制程節(jié)點相結(jié)合，開啟了令人興奮的新產(chǎn)品機遇，特別是對于安全的智能卡市場，”SST全球營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)Vipin Tiwari說。“現(xiàn)在，那些需要低功耗、高耐久性嵌入式Flash的客戶可以通過使用這種主流的8英寸CMOS平臺來降低生產(chǎn)成本。”
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