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雙SiC MOSFET驅(qū)動器參考設(shè)計公布
Richardson RFPD宣布了Microsemi公司的新型SiC MOSFET驅(qū)動參考設(shè)計的可用性和完整設(shè)計支持能力。
MSCSICMDD/REF1的設(shè)計目的是提供一個可靠的參考驅(qū)動解決方案，一種在許多不同拓?fù)渲性u估碳化硅mosfet的方法，以及一種用于評估設(shè)備性能的參數(shù)測試方法。
新的評估板只需要一個+ 24v的電源輸入，并優(yōu)化驅(qū)動SiC設(shè)備在高速與去飽和保護(hù)。它是一個基礎(chǔ)設(shè)計，可以根據(jù)不同的系統(tǒng)需求進(jìn)行簡化。
根據(jù)Microsemi, MSCSICMDD/REF1的其他關(guān)鍵特性包括:
可調(diào)- 5v到+ 20v輸出門驅(qū)動器
在兩個門驅(qū)動器上超過2000 V的電流隔離
每側(cè)驅(qū)動功率可達(dá)6w;8w修改
最高輸出電流為30a
最大開關(guān)頻率大于400khz
單端或RS485/RS422差分輸入門控制
通過(短路)保護(hù)
+ / - 100 kV /µS能力
可編程序死時保護(hù)
故障信號
欠壓保護(hù)
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