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ST-MRAM推進(jìn)-伙伴關(guān)系公告。
聯(lián)合公司的子公司Spin Transfer Technologies (STT)和東京電子(TEL)很高興地宣布，他們已經(jīng)簽署了一項(xiàng)協(xié)議，為下一代SRAM和DRAM-class ST-MRAM設(shè)備的合作工程項(xiàng)目。
該協(xié)議將進(jìn)一步推進(jìn)ST-MRAM，一種新的高性能、持久存儲(chǔ)設(shè)備，提供以前無(wú)法達(dá)到的速度、密度和耐力。STT的ST-MRAM技術(shù)和TEL先進(jìn)的PVD MRAM沉積工具的結(jié)合將使公司能夠快速開(kāi)發(fā)出最高密度和耐力的設(shè)備。
這兩家公司都在為這個(gè)項(xiàng)目分配資源，STT提供高速、高耐力的垂直磁隧道結(jié)(pMTJ)設(shè)計(jì)和設(shè)備制造技術(shù)，并利用其ST-MRAM沉積工具和具有獨(dú)特的磁膜形成能力的知識(shí)。該協(xié)議與每家公司的目標(biāo)一致，即為嵌入式SRAM提供引人注目的解決方案，并最終實(shí)現(xiàn)獨(dú)立DRAM市場(chǎng)。
SRAM在幾乎所有的移動(dòng)、計(jì)算和工業(yè)應(yīng)用中都很普遍。SRAM是一種快速、高耐力的存儲(chǔ)器，但它的成本很高，耗電量大，而且不穩(wěn)定。ST-MRAM更緊湊，成本更低，在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)需要很少的電力，而且是非易失性的，在長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。進(jìn)一步的改進(jìn)，特別是在快速切換和耐力方面，需要完全匹配或超過(guò)SRAM性能。
STT和TEL將展示比其他ST-MRAM解決方案更密集的解決方案，同時(shí)消除了替換SRAM的障礙。這些低于30nm的pMTJ，比其他商業(yè)解決方案要小40%到50%，應(yīng)該對(duì)先進(jìn)的邏輯- ics有吸引力，并且是朝著制造類(lèi)的ST-MRAM設(shè)備邁出的重要一步。
STT首席執(zhí)行官湯姆•斯帕克曼表示:“行業(yè)已經(jīng)超越了SRAM和DRAM的能力，為下一代技術(shù)打開(kāi)了市場(chǎng)。”“世界領(lǐng)先的ST-MRAM沉積設(shè)備供應(yīng)商，作為合作伙伴加速了STT技術(shù)的發(fā)展，取代了SRAM和DRAM。我們相信ST-MRAM的采用將會(huì)大大超出目前的預(yù)期，我們很高興能與TEL公司合作，通過(guò)實(shí)現(xiàn)行業(yè)所需的速度、密度和持久性來(lái)革新ST-MRAM市場(chǎng)。
我們將與STT的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)、設(shè)備制造技術(shù)和現(xiàn)場(chǎng)開(kāi)發(fā)fab一起，預(yù)計(jì)將加速SRAM市場(chǎng)高性能、高密度MRAM設(shè)備的開(kāi)發(fā)，并最終推動(dòng)DRAM替代市場(chǎng)的發(fā)展。TEL公司薄膜形成業(yè)務(wù)部門(mén)副總裁石川洋一(Yoichi Ishikawa)說(shuō)。“我們感謝STT認(rèn)識(shí)到我們的先進(jìn)MRAM沉積系統(tǒng)的性能和選擇。”
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