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東芝將n溝道設(shè)備添加到U-MOS IX-H MOSFET的家庭
東芝電子歐洲增加了兩個新的n溝道設(shè)備U-MOS IX-H家族的高效、高速開關(guān)mosfet。
TK3R1E04PL TK3R1A04PL可以幫助設(shè)計師來提高性能和降低功耗的電源應(yīng)用,如直流-直流轉(zhuǎn)換器和smp交直流電源的二次側(cè)電路。
TK3R1E04PL(- 220包)和TK3R1A04PL(- 220 - sis包)的最大vds公司評級40 v和可以操作gate-source + / -20 v的電壓(vg)。各自的最大直流漏電流100 a和82 a。
設(shè)備都有一個典型的低電阻(RDS(上))只有2.5 mΩ(@VGS = 10 v)和一個典型的輸出電容(輸出電容)1000 pf。這些特性確保有效使用狀態(tài)操作,快速切換,降低切換損失。
通過提供一個優(yōu)秀的電阻和電容之間的權(quán)衡,TK3R1E04PL和TK3R1A04PL支持在電源應(yīng)用中最佳性能和效率。這包括同步整流設(shè)計,低輸出電荷(qos)減少設(shè)備對整流功率損耗的貢獻(xiàn)。
新的場效電晶體將操作與通道溫度高達(dá)175ºC,與U-MOS IX-H技術(shù)確保穩(wěn)定運行在一個廣泛的溫度和負(fù)載條件下。
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