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800 V MOSFET結合效率和熱性能
英飛凌科技推出了800 V CoolMOS P7系列�；趕uperjunction技術,這800 V MOSFET結合了高性能和非凡的易用性。
這個新產品族是一個完美的適合低功耗smp應用,性能完全滿足市場需求,易于設計和價格/性能比。它主要側重于反激變換器拓撲中通常應用適配器,LED照明、音頻、工業(yè)和輔助動力。
800 V CoolMOS P7系列提供了高達0.6%的效率增益。這轉化為2 - 8°C下MOSFET溫度比CoolMOS C3或競爭對手部分在典型的回掃應用程序進行測試。這個新的基準測試結果的組合優(yōu)化設備參數:包括減少超過50%的E oss和Q g,以及減少C iss和C oss。進一步改善性能使高功率密度設計通過降低切換損失和更好DPAK R DS(上)產品�？偟膩碚f,這將幫助客戶節(jié)省BOM成本和減少裝配工作。
易用性是一個內在的特性設計的產品族。集成穩(wěn)壓二極管顯著提高ESD強度,從而減少委托人相關生產產量的損失。MOSFET容易驅動,設計由于其行業(yè)領先V(GS)的th 3 V和最小的GS(th)的變化只有±0.5 V這種組合允許較低的驅動電壓和較低的切換損失。此外,它有助于避免無意的操作在線性區(qū)域。
800 V的家庭CoolMOS P7場效電晶體可以在12 R DS()類和6個包完全解決目標應用程序的需要。產品R DS(上)280 mΩ,450 mΩmΩ1400和4500 mΩ現在可以訂購。
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