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的固態(tài)供應(yīng)宣布SDRAM的可用性
固態(tài)供應(yīng)已經(jīng)宣布的一系列同步DRAM內(nèi)存芯片從聯(lián)盟內(nèi)存以硅微米技術(shù)。
設(shè)備是高速、低壓目前DDR3L更快(3雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM)內(nèi)存和三個512 mbit SDRAM芯片相當(dāng)于100%停止記憶從微米ICs。
適合高密度內(nèi)存需求的應(yīng)用程序,但嚴格限制董事會空間,在AS4C512M16D3L目前內(nèi)部有96 -球領(lǐng)先(Pb)無FBGA包9 x 14毫米的尺寸。設(shè)備內(nèi)部配置為八個銀行的512 x 16位并提供極快轉(zhuǎn)移率高達1600 mbps /銷和時鐘頻率800 mhz。不再需要昂貴的重新設(shè)計和requalification一部分,內(nèi)存提供了一個可靠的dropin pin-for-pin-compatible替代很多類似的設(shè)備使用的最新一代微處理器的應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、電信和航空市場。
AS4C512M16D3L提供完全同步操作,并提供可編程讀或?qū)懫屏验L度的4或8。汽車pre-charge函數(shù)提供了一個山頂行pre-charge發(fā)起最后的序列。易于使用的功能包括自動刷新或self-refresh,和一個可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最合適的模式,從而最大限度地提高性能。設(shè)備操作從一個+ 1.35 v電源,可在商業(yè)溫度范圍0到+ 95°C(AS4C512M16D3L-12BCN)和工業(yè)范圍的-40 + 95°C(AS4C512M16D3L-12BIN)。
現(xiàn)在也可以從固態(tài)供應(yīng)三512內(nèi)部中斷了微米技術(shù)的設(shè)備。這些內(nèi)部繼續(xù)通過聯(lián)盟是由微米制造但提供內(nèi)存作為一個擴展的可用性這兩家公司之間的協(xié)議。設(shè)備是32 mx16微米號碼mt48lc32m16a2p - 75部分:C(聯(lián)盟零件號AS4C32M16SM-7TCN -商業(yè)溫度范圍),32 mx16微米號碼mt48lc32m16a2p - 75部分:C(聯(lián)盟零件號AS4C32M16SM-7TIN工農(nóng)業(yè)發(fā)展溫度范圍)和64 m x 8微米號碼mt48lc64m8a2p - 75部分:C。設(shè)備與聯(lián)盟內(nèi)存部分相當(dāng)于對應(yīng)的數(shù)字是100%微米部分,和每個設(shè)備在同一晶圓制造/裝配和測試材料和硅工藝。
優(yōu)化醫(yī)療、工業(yè)、汽車、和電信應(yīng)用程序內(nèi)存帶寬要求高,以及高性能PC應(yīng)用程序,更快的提供54-pin TSOP二包,從單一經(jīng)營+ 3.3 V(±0.3 V)電源和鉛(Pb)和無鹵。
PC100 PC133-compliant,三個更快提供可編程讀或?qū)懫屏验L度的1,2,4,8,或整頁,突然終止的選擇。汽車pre-charge函數(shù)提供了一個山頂行pre-charge發(fā)起最后的序列。易于使用的功能包括自動刷新,或者self-refresh,而可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最合適的模式來最大化性能。
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