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VVAs提供改進線性在砷化鎵產(chǎn)品
集成設(shè)備技術(shù)引入了兩個新成員日益增長的家庭的射頻電壓可變衰減器(VVA),擴大IDT 1 MHz的頻率覆蓋范圍6 GHz。和家庭的其他成員一樣,F2255和F2258設(shè)備提供較低的插入損耗和高線性度。
IDT的VVAs為應(yīng)用程序提供模擬控制需要精確的衰減。新設(shè)備在一個緊湊的3毫米3毫米,16-pin TQFN包。他們提供大約一半的插入損耗的競爭解決方案,IP3性能1000 x(30 dB)比競爭砷化鎵(砷化鎵)設(shè)備,他們表現(xiàn)出linear-in-dB衰減特性在電壓控制范圍。低插入損耗降低射頻鏈路徑損耗,而他們的高線性度提高了系統(tǒng)數(shù)據(jù)率。
這些最新的設(shè)備匹配流行的足跡和理想的基站(2 g、3 g和4 g),微波基礎(chǔ)設(shè)施、公共安全、便攜式無線通信/數(shù)據(jù)設(shè)備、測試/吃裝備,軍事系統(tǒng),JTRS無線電、高頻、甚高頻、超高頻無線電。
“IDT的硅基射頻產(chǎn)品提供特殊性能相比,砷化鎵的解決方案,在這種情況下30 db線性改進,”克里斯•斯蒂芬斯表示IDT的射頻部門總經(jīng)理。“這些設(shè)備是市場上最低的插入損耗VVAs,和最線性衰減控制的特點。”
通過使用硅基射頻半導(dǎo)體技術(shù),IDT的衰減器提供一個健壯的替代老GaAs-based半導(dǎo)體技術(shù)。硅技術(shù)提供了改進的射頻性能的優(yōu)勢以及更健壯的靜電放電(ESD)保護,更好的濕度敏感性水平(實驗室),改善熱性能,降低電流消耗,硅技術(shù)的可靠性。
比較的F2258 pin-compatible砷化鎵競爭對手,多達65的設(shè)備有一個輸入IP3 dbm vs 35 dbm,33 db / Volt的最大衰減斜率與53 db /伏;最小回波損耗6000 mhz,12.5 db和7 db;和操作的最大溫度范圍105 c vs 85 c。F2255設(shè)備支持頻率范圍1 mhz和最大衰減斜率為33 db /伏特。設(shè)備都有雙向射頻端口,支持一個積極3 v或5 v的電源電壓,操作溫度范圍-40到105 c。
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