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權(quán)力和空間節(jié)省20 v chipscale MOSFET
威世根本已經(jīng)引入了一個(gè)新的TrenchFET 20 V n溝道MOSFET chipscale微腳0.8毫米,0.8毫米的包和一個(gè)超薄0.357毫米。
為了節(jié)省空間,降低功耗,延長電池使用智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備,固態(tài)硬盤,和便攜式醫(yī)療設(shè)備,如助聽器,威世Siliconix Si8824EDB為任何20 V設(shè)備提供最低的導(dǎo)通電阻與1毫米平方或< 0.7毫米平方大綱。
優(yōu)化使用負(fù)荷開關(guān),小信號(hào)開關(guān),在電源管理和高速開關(guān)應(yīng)用,75 mΩSi8824EDB特性極低的導(dǎo)通電阻的4.5 V,82 mΩ2.5 V,90 mΩ1.8 V,125 mΩ1.5 V,和175年mΩ1.2 V .這些評(píng)級(jí)比最接近的競爭對(duì)手低25% 20 V MOSFET在一個(gè)相同的CSP包,比最接近的競爭對(duì)手低65% 20 V設(shè)備DFN 1毫米的0.6毫米包。MOSFET的20 V VDS、ESD保護(hù)、評(píng)級(jí)降至1.2 V,和較低的導(dǎo)通電阻提供安全裕度的組合,門驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)靈活性和高性能鋰離子電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序。
Si8824EDB提供極低的導(dǎo)通電阻倍面積40 mΩ-mm²-比最接近的競爭對(duì)手低28% 20 V MOSFET在DFN 1毫米平方包——為了節(jié)省空間和減少電池消耗在移動(dòng)應(yīng)用程序。設(shè)備的低導(dǎo)通電阻意味著一個(gè)非常低的電壓降在直流和脈沖峰值電流,因此減少電力浪費(fèi)熱量。MOSFET的2000 V集成ESD保護(hù)防止靜電損壞處理或人體接觸。
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