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4 SiC MOSFET-based功率模塊了
發(fā)布者: 發(fā)布時間:2015/5/23 0:16:48 閱讀:

4 SiC MOSFET-based功率模塊了

 

理查森RFPD宣布股票和完整的可用性設(shè)計的支持能力四個新1200 v SiC MOSFET-based Vincotech電源模塊。

 

Vincotech設(shè)備代表了新一代的1200 v SiC MOSFET-based功率模塊,并專門為太陽能、UPS和電池管理應(yīng)用程序。

 

兩個版本的模塊是可用的。首先是0 flow3xPHASE SiC三相逆變器模塊3 x巴克/增強(qiáng)和分割輸出拓?fù)。第二個版本是flow3xBOOST 0 SiC與三通道振電路。三個電路不連接,給設(shè)計工程師靈活地使用它們作為單獨的電路或附加并聯(lián)電阻電流傳感。flow3xPHASE 0 SiC配置可能被用作雙向DC-to-AC三相逆變器或一個三通道雙向DC-to-DC逆變器。

 

兩個版本功能最新一代的SiC MOSFET開關(guān)用于超高速開關(guān)頻率> 100千赫。他們能夠?qū)崿F(xiàn)最高效率> 99% fPWM 64千赫。配備集成DC電容器,這些新的流0 SiC模塊提供超低電感。

 

根據(jù)Vincotech,額外的新電源模塊的主要功能包括:

 

三相逆變器與分割輸出更好的交換行為(打開能源和減少cross-conduction抑制)

 

三通道助推器

 

羅姆,克里族力量SiC MOSFET和權(quán)力碳化硅肖特基二極管

 

溫度傳感器

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