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半橋評(píng)估板簡(jiǎn)化GaN晶體管電路設(shè)計(jì)
GaN系統(tǒng)、氮化鎵功率晶體管的制造商,宣布其新的網(wǎng)格狀的評(píng)估板展示了性能的氮化鎵增強(qiáng)型功率半導(dǎo)體的功率電路。
功能齊全的GS66508T-EVBHB Eval董事會(huì)很容易配置到任何一半bridge-based拓?fù)?包括增加和巴克模式。Eval董事會(huì)有一個(gè)快速啟動(dòng)指令指導(dǎo)和YouTube視頻鏈接已經(jīng)安裝在幾分鐘內(nèi)啟動(dòng)并運(yùn)行。Eval板可用于同步提升或巴克轉(zhuǎn)換,以及脈沖開(kāi)關(guān)晶體管波形進(jìn)行評(píng)估。裝備有完整的文檔,包括材料清單組成部分的數(shù)字,PCB布局和熱管理和柵極驅(qū)動(dòng)電路參考設(shè)計(jì)也是有用的系統(tǒng)工程師在他們的產(chǎn)品中使用。
旨在為電氣工程師提供一個(gè)完整的功率級(jí)工作,評(píng)估板由兩個(gè)650 v,30 GS66508T GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管,半橋門(mén)司機(jī),門(mén)驅(qū)動(dòng)電源和散熱片。甘GS66508T高功率晶體管是基于系統(tǒng)的島技術(shù)和其650 v家族屬于高密度設(shè)備實(shí)現(xiàn)極其高效能源轉(zhuǎn)換與快速切換的速度> 100 v / nS和超低熱損失。
GaN系統(tǒng)唯一一家已經(jīng)開(kāi)發(fā)和productised全面組合的氮化鎵功率晶體管電壓評(píng)級(jí)100 v和650 v,電流評(píng)級(jí)從7 - 250。GaN系統(tǒng)島技術(shù)模具設(shè)計(jì),加上極低的電感和熱效率GaNPX包裝,提供與45 x改善氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)和導(dǎo)電性能比傳統(tǒng)的硅mosfet和igbt。
30 / 55 mΩGS66508T氮化鎵功率晶體管是near-chip-scale船殼和冷卻特性,thermally-efficient GaNPX包裝。功率轉(zhuǎn)換效率98.7%至1.5 kw所示產(chǎn)品文檔,可以復(fù)制在主人的實(shí)驗(yàn)室。
Eval董事會(huì)提供了輸出功率電感和電容的足跡允許用戶配置板成期望的提高或巴克運(yùn)作模式。提供訪問(wèn)晶體管結(jié)溫?zé)犭娕級(jí)|和熱感攝像機(jī)成像港口。應(yīng)該9 vdc電源輸入12 vdc的絕對(duì)最大15 v。車(chē)載穩(wěn)壓器創(chuàng)建+ 5 v邏輯電路和門(mén)驅(qū)動(dòng)器+ 6.5 v。有三種操作模式:脈沖測(cè)試模式;美元/標(biāo)準(zhǔn)半橋模式,推動(dòng)模式。
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