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內(nèi)在磁性承諾更安全的計算機內(nèi)存
2015年9月11日|斯圖亞特·內(nèi)森
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改變材料的方式應對磁性可以生產(chǎn)更安全、持久的記憶系統(tǒng)
創(chuàng)建磁存儲器的一種新方法可能會導致更加健壯和安全系統(tǒng),不受熱量或磁場的影響,對于某些應用程序,如信用卡和身份證無法閱讀的路人。而不是編碼數(shù)據(jù)通過創(chuàng)建一個模式在使用另一個磁鐵,磁性材料這種技術,已開發(fā)的美國陸軍和海軍研究實驗室的研究人員,康寧和內(nèi)布拉斯加州大學的改變材料的固有屬性,不能簡單地改變,需要近距離閱讀。
這項技術通過改變工作記憶材料的磁導率:也就是說,它能夠成為磁化。磁導率是一個屬性的材料被稱為“軟”鐵磁體,磁場很容易被逆轉(zhuǎn)。一般鎳和鐵的合金,使用它們的核心變壓器相關減少能源損失迅速扭轉(zhuǎn)導線載有交變電流的磁場。
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耐熱性,輻射和磁場使磁導率更好記憶枚空間系統(tǒng)的機制
研究使用的內(nèi)存商業(yè)化鐵磁材料存入層。團隊改變了地區(qū)的磁導率的材料通過激光加熱。這引起本地非晶體物質(zhì)具體化,降低滲透率。這種變化在滲透率可以讀通過監(jiān)控探測磁場的變化。
“一大步只是想出使用導磁率存儲信息的概念,并提出一個實用的傳感器附近的內(nèi)存,這樣就可以將閱讀,”說的研究人員和論文的合著者之一,他們解釋這個項目,艾倫·埃德爾曼的陸軍研究實驗室在馬里蘭州。“我很驚訝和高興的是,我們可以使這種方法工作。”
磁記憶方法中使用信用卡,和近年來取代RFID芯片嵌入到卡。這些仍然可以閱讀一些與RFID閱讀器設備距離。但磁導率系統(tǒng)需要10µm閱讀設備遠離記憶材料,使其更加安全。此外,正如磁導率是材料的固有屬性,它不能改變磁場,輻射或加熱整個材料,使其適用于“硬”內(nèi)存需要計算機等設備進入空間;這將需要更少的比當前系統(tǒng)屏蔽,從而降低體重。
這項技術還可以幫助儲存更多的信息比是可能的與傳統(tǒng)磁記憶。這是磁性粒子的大小有限的記憶材料(所謂的超順磁的限制),但滲透技術受限于材料的微觀結構和組成。“目前我們有低密度大小的碎片,”Edelstein說。“但是我們有可能得到高得多,因為我們并不局限的超順磁的限制,有克服困難的技術局限性第一。”
團隊的下一個目標是設計出一個辦法讓這種記憶系統(tǒng)可重寫光盤。“我們證明了能力改寫位讀/寫存儲器,并希望盡快公布結果。”Edelstein得出結論。
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