串行接口NAND閃存使用3 d技術(shù)
東芝電子歐洲推出了一個(gè)新的陣容24海里SLC NAND閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用程序兼容廣泛使用的串行外圍接口,SPI。
東芝公司是全球最大的NAND閃存供應(yīng)商之一,這個(gè)新添加進(jìn)一步增加他們的投資組合。四日市操作供應(yīng)世界上三分之一的NAND閃存的供應(yīng)。
東芝公司開發(fā)了世界上第一個(gè)48層3 d閃存,這陣容使用這種新技術(shù)。新技術(shù)提高耐力和提供更高密度的水平。它還提供了更低的功率和更高的速度,使未來的架構(gòu)的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
開發(fā)新的3 d閃存技術(shù)需要一個(gè)重大投資,因?yàn)閷?shí)現(xiàn)它并不是一個(gè)微不足道的任務(wù)。不過性能回報(bào)同意是值得的。
預(yù)計(jì)將會(huì)有很多新的串行接口申請(qǐng)NAND閃存技術(shù)。這些將包括:消費(fèi)者的應(yīng)用,如平板電視、打印機(jī)、可穿戴設(shè)備,包括工業(yè)機(jī)器人和工業(yè)應(yīng)用。
新的串行接口的新陣容NAND Flash技術(shù)跨越1 gbit密度,2 gbit和4 gbit和SOP(10.3毫米x 7.5毫米)或WSON(6.0毫米x 8.0毫米)包。每個(gè)密度/設(shè)備組合可選擇的輸入電壓1.8 v和3.3 v的兼容性。
高速連續(xù)閱讀功能,嵌入式ECC(糾錯(cuò)代碼)位翻轉(zhuǎn)報(bào)告功能和嵌入式數(shù)據(jù)保護(hù)功能保證數(shù)據(jù)可以快速而安全地存儲(chǔ)和訪問安全。串行外圍接口允許設(shè)備控制只用六針,給用戶提供一個(gè)SLC NAND閃存低銷數(shù),小包裝和大容量。
串行接口與非也更低的成本比傳統(tǒng)上用于嵌入式應(yīng)用程序或閃存解決方案。
為了使嵌入式設(shè)備匹配客戶的功能需求增加,需求增加密度更大的內(nèi)存。
這是駕駛需求增加存儲(chǔ)的軟件(包括啟動(dòng)項(xiàng)目、固件和嵌入式操作系統(tǒng))和數(shù)據(jù)(包括日志數(shù)據(jù)),導(dǎo)致產(chǎn)品設(shè)計(jì)師轉(zhuǎn)向SLC NAND閃存的高密度和高可靠性。
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