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克里族聲稱塑料包裝GaN HEMTs最高權(quán)力
克里族介紹了該行業(yè)的最高功率連續(xù)波(CW)GaN HEMT射頻晶體管封裝在一個(gè)dual-flat no-leads(DFN)格式。
廠商針對(duì)子- 100 w商業(yè)雷達(dá)和數(shù)據(jù)鏈路放大器細(xì)分市場(chǎng),新的6 - 25瓦DFN晶體管有效淘汰低效的使用砷化鎵晶體管在C - x波段頻率,也讓短暫的生命的實(shí)際替代傳統(tǒng)顯像管商業(yè)雷達(dá)技術(shù)應(yīng)用,如天氣、海洋和監(jiān)測(cè)。
基于的克里族40 v 0.25µm門長(zhǎng)度高頻過(guò)程,氮化鎵DFN晶體管提供砷化鎵IMFETs舉行PSAT效率和晶體管獲得的兩倍小的包大小近20倍,類似的功率和頻率。
在企業(yè)中使用高容量微波數(shù)據(jù)鏈接,點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和機(jī)載通信網(wǎng)絡(luò),新晶體管擴(kuò)展通信范圍而交付GaAs-based放大器的線性效率的兩倍。這個(gè)更高的效率給射頻設(shè)計(jì)師所需的靈活性降低放大器的大小和重量,創(chuàng)造巨大的儲(chǔ)蓄在操作和總生命周期成本。
“多年來(lái),商業(yè)微波雷達(dá)發(fā)射機(jī)與顯像管的妥協(xié)領(lǐng)域生活困擾放大器攜帶巨大的維護(hù)成本。從歷史上看,高容量的數(shù)據(jù)鏈接僅限于使用低效的砷化鎵IMFETs,”湯姆說(shuō)德克,射頻銷售和營(yíng)銷主管克里族,Inc .)“通過(guò)提供卓越的效率和功率能力在一個(gè)合理的價(jià)格,我們的新GaN DFN晶體管首次啟用這些遺留的替代技術(shù)在低功率,降低成本的商業(yè)系統(tǒng)方案。”
據(jù)該公司介紹,新DFN設(shè)備使優(yōu)秀的司機(jī)CGHV96100和CGHV96050F2 fully-matched FETs x波段,使產(chǎn)出和晶體管驅(qū)動(dòng)階段運(yùn)營(yíng)鐵路從相同的電壓。這允許方便,調(diào)節(jié)配電節(jié)約板空間與混合電壓晶體管排隊(duì)。
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