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氮化鎵射頻晶體管增加數(shù)據(jù)速率
該行業(yè)的第一個(gè)300 w,2.7 ghz塑料包裝GaN telecomms晶體管晶體管中自稱是發(fā)布的克里族在國際微波研討會(huì),本周美國佛羅里達(dá)州坦帕市。
GaN射頻晶體管的塑料包裝設(shè)計(jì)利用優(yōu)越的射頻性能的氮化鎵低成本的平臺(tái),聲稱該公司。初始產(chǎn)品包括塑料包裝行業(yè)首個(gè)300 w晶體管工作在2.7 GHz,提供“無與倫比”舉行Psat效率65%和寬帶能力近一半的價(jià)格在同一GaN晶體管安置在一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)陶瓷封裝。
晶體管是可伸縮的高功率水平和操作在所有細(xì)胞telecomms樂隊(duì)3.8 ghz。他們可以部署更小、成本更低的宏單元廣播單位能夠支持?jǐn)?shù)據(jù)要求今天的細(xì)胞LTE網(wǎng)絡(luò)。
操作多個(gè)細(xì)胞樂隊(duì)幫助網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營商部署載波聚合加入不同波段的光譜和創(chuàng)建更大的網(wǎng)絡(luò)容量增加的數(shù)據(jù)管道。蜂窩基站oem廠商也可以使用更少的band-specific放大器加快進(jìn)入市場的步伐。
功率60、100、150、200和300 w。塑料GaN HEMT射頻晶體管然后利用針對(duì)預(yù)匹配細(xì)胞樂隊(duì)在690 - 960 mhz、1800 - 2300 mhz或2300至2700 mhz。
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