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大規(guī)模生產(chǎn)15海里的NAND閃存記憶開始
在所有集成電路特征尺寸縮小,更小的尺寸被推出。較小的特征尺寸帶來許多優(yōu)勢更大程度的一體化,降低功耗對于一個給定水平的功能。
最新的一個介紹來自東芝已開發(fā)并推出了15-nanometre(nm)過程技術(shù)。這將是用于生產(chǎn)2-bit-per-cell 128 -千兆(16字節(jié))的NAND閃存記憶。公司報告說,他是世界上第一個15 nm制程技術(shù)。
在其聲明中,該公司表示,它將開始大規(guī)模生產(chǎn)的新技術(shù)在2014年4月底工廠5四日市操作,東芝的閃存芯片工廠。這里它將取代第二代19 nm制程技術(shù)。第二階段的工廠5目前在建,和新技術(shù)也將部署。
東芝表示,使用新的15納米閃存芯片制造過程實現(xiàn)相同的寫入速度與第二代芯片形成19 nm制程技術(shù),但提高每秒533 mb的數(shù)據(jù)傳送速率快1.3倍,利用高速接口。
為了保持發(fā)展的勢頭和改善生產(chǎn)的芯片,東芝表示,它是應(yīng)用15 nm制程技術(shù)3-bit-per-cell芯片,它的目標(biāo)是在2014年6月之前開始生產(chǎn)。
除了基本的閃存、東芝表示,將制定嵌入式并行NAND閃存控制器并介紹3-bit-per-cell為智能手機(jī)和平板電腦產(chǎn)品。這個階段完成后,它將范圍擴(kuò)展到筆記本電腦通過開發(fā)一個控制器與固態(tài)硬盤兼容。
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