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威世根本提供新的高能耗電容器
威世根本已經(jīng)發(fā)布了一系列新的高能耗的相當(dāng)于固體鉭表面型芯片電容器用于軍事和航天應(yīng)用。
可提供高可靠性的篩查和沖擊電流測(cè)試選項(xiàng)符合mil -脈沖重復(fù)頻率- 55365、斯普拉格威世T42系列結(jié)合了內(nèi)置保險(xiǎn)絲自動(dòng)防故障裝置操作和高電容和電壓等級(jí)和低ESR降到80 mΩ+ 25°C和100千赫。
電容器是理想的過(guò)濾,分離,和儲(chǔ)能應(yīng)用在武器和雷達(dá)系統(tǒng),航空電子設(shè)備,天基電子產(chǎn)品。
防止災(zāi)難性的失敗在這些高安全性的應(yīng)用程序時(shí),設(shè)備的內(nèi)置保險(xiǎn)絲保證保護(hù)在5 10 ms和優(yōu)化,以確保激活,同時(shí)避免假觸發(fā)。
T42采用multi-anode“鏡子”結(jié)構(gòu),降低了ESR至少50%。每個(gè)內(nèi)部陽(yáng)極裝置有專(zhuān)用保險(xiǎn)絲,允許影響陽(yáng)極保持電容的不可能事件失敗。根據(jù)應(yīng)用程序,這種容錯(cuò)設(shè)計(jì)允許降級(jí)模式的操作,而不是完全喪失功能。
提供在M2情況下代碼,T42系列電容器利用威世的專(zhuān)利leadframeless multi-array包裝(MAP)技術(shù)以提高容積效率。
建立在一個(gè)玻璃增強(qiáng)樹(shù)脂基、設(shè)備消除了問(wèn)題J-lead建設(shè)和current-loops相關(guān)聯(lián),從而減少三分之二,ESL的傳統(tǒng)的電容器。結(jié)果是高容量從470年10μFμF,公差為±10%,±20%,評(píng)級(jí)從16伏特直流電壓75伏直流。較高的電容比傳統(tǒng)設(shè)備,電容器降低整體組件數(shù)量和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
T42系列提供了一個(gè)操作溫度范圍-55°C + 85°C,與電壓降額+ 125°C,和最大紋波電流從0.7到0.7 A . RoHS-compliant設(shè)備可用100%錫或錫/鉛終止妊娠。
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