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雙功率MOSFET 12 v的設(shè)計(jì)
國(guó)際整流器介紹了IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET安置在高性能4 x5 PQFN權(quán)力集團(tuán)包。
新包選項(xiàng)擴(kuò)大權(quán)力阻止家族的能力降低功率輸入直流-直流12 v的緊湊設(shè)計(jì)同步巴克應(yīng)用包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)通設(shè)備、服務(wù)器、圖形卡、桌面,ultrabook筆記本電腦。
紅外IRFH4257D特性的最新一代硅和專(zhuān)用包裝技術(shù),提供了優(yōu)良的熱性能,低開(kāi)態(tài)電阻(RDS())和門(mén)(Qg)。
這些特性提供優(yōu)良的功率密度,降低切換損失在緊湊的4 x5權(quán)力集團(tuán)。
與所有的紅外FastIRFET設(shè)備,IRFH4257D與任何控制器或驅(qū)動(dòng)程序提供的靈活性而提供高電流、效率和頻率在單相或多相的應(yīng)用能力。
現(xiàn)在,外加IRFH4257D,設(shè)計(jì)師可以選擇選擇一個(gè)4 5 x5和x6 PQFN來(lái)滿足設(shè)計(jì)要求。
IRFH4257D是合格的工業(yè)品位和水分敏感性等級(jí)1(MSL1)和環(huán)保特性,無(wú)鉛和通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證材料清單。 |
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