|
SiC MOSFET高壓工業(yè)應(yīng)用
理查森RFPD宣布的可用性和完整的設(shè)計支持功能新1200 v,32,80從Microsemi mΩSiC MOSFET。
APT40SM120J是建立在Microsemi的專利原文如此MOSFET技術(shù),哪些特性最佳RDS(上)與溫度、超低門阻力最小化切換能量損失,優(yōu)越的最高開關(guān)頻率,突出強(qiáng)度與優(yōu)越的短路承受。
APT40SM120J是適合PFC和其他提高轉(zhuǎn)換器,巴克轉(zhuǎn)換器,兩個開關(guān)(不對稱橋)轉(zhuǎn)換器,單開關(guān)轉(zhuǎn)換器,回程轉(zhuǎn)換器,逆變器和其他高壓工業(yè)應(yīng)用。
主要特點(diǎn)包括:
漏源極擊穿電壓(V(BR)DS):1200 V
連續(xù)漏電流(ID @ TC = 25ºC):32
連續(xù)漏電流(@ TC ID = 100ºC):23
漏源極電阻(RDS()@ TJ = 25ºC,vg = 20 v,ID = 20):80 mΩ
包:說- 227
蹺板開關(guān)http://www.gastrotommy.com |
當(dāng)前位置:
