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硅電容式西裝超寬帶系統(tǒng)
從IPDiA的UBSC ultra-broadband硅電容系列提供了出色的ultra-broadband性能和可靠性。
這使得這些電容器理想的應用程序需要在很寬的帶寬。這些基于硅電容適合應用程序包括光電/高速數(shù)據(jù)、trans-impedance放大器(TIA)、收發(fā)光學裝配工作(羅莎/斗犬),同步光纖網(wǎng)絡(SONET,以及寬帶測試設備和寬帶微波/毫米波)。
UBSC電容器適用于直流阻斷,反饋,在所有寬帶光電耦合和繞過應用和高速數(shù)據(jù)系統(tǒng)。獨特的硅帽技術集成在硅由IPDiA被動元器件,提供獨特的表演從16千赫至60 GHz:
超低插入損耗(0.5 dB);
平坦的頻率響應;
優(yōu)秀的回波損耗;
沒有相位不連續(xù);
低介電吸收(0.1%)相比,NP0 / X7R;
優(yōu)秀的穩(wěn)定溫度(+ / - -0.5%從-55年到150°C)和直流電壓(0.1% / V)。電容值穩(wěn)定甚至在16赫茲;
沒有交流失真由于低零壓電效應;
優(yōu)秀的可靠性超過X7R陶瓷10倍(配合);
可靠的和可重復的UBB表演由于與高溫固化完全控制生產(chǎn)線(900°C以上)生成一個高度純氧化物。
這些超寬帶電容器在硅超深溝已經(jīng)開發(fā)使用半導體過程使溝MOS電容器提供高的集成電容值100 nf 100年µm低調(diào)0402 SMT。由于下面墊組件的定位,可以減輕傳輸線的阻抗不連續(xù)。
“市場是不斷轉移到更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和需要越來越多的高性能ultra-broadband組件。100年nf / 0402 UBSC ultra-broadband Si帽被設計為客戶服務ultra-broadband市場需要杰出的表現(xiàn)從16千赫至60 GHz,典型的< 0.5 dB的插入損耗和11 VDC的擊穿電壓。UBSC系列提供優(yōu)秀的回波損耗和unit-to-unit性能可重復性。”奧利維爾Gaborieau說,射頻IPDiA產(chǎn)品線經(jīng)理。
UBSC系列符合標準阻抗裝配規(guī)則,使產(chǎn)品完全兼容高速自動拾起并定位制造業(yè)務。大小的0201年和0603年也可以。UBSC電容器通過無鉛認證,可用ENiG終止妊娠。
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