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ICs擴(kuò)展頻譜的兩端
外來(lái)UltraCMOS被越來(lái)越多地用于許多射頻的發(fā)展,該公司已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了需要開(kāi)發(fā)的技術(shù)頻率限制直流和進(jìn)一步擴(kuò)展到微波地區(qū)。
游隼已經(jīng)率先使用UltraCMOS藍(lán)寶石上硅技術(shù),發(fā)現(xiàn)它已經(jīng)能夠提供改進(jìn)的性能比其他技術(shù)包括砷化鎵、砷化鎵、硅鍺,鍺硅,和批量CMOS。
大多數(shù)技術(shù)領(lǐng)域他們執(zhí)行特別好。砷化鎵為例給出了微波應(yīng)用高頻率響應(yīng)好,鍺硅具有很高的頻率上限,大部分CMOS邏輯和低頻射頻應(yīng)用是理想的。游隼已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)是使用什么UltraCMOS提供同等水平的性能,這些個(gè)人技術(shù),但是使用一個(gè)單一的技術(shù)。公司狀態(tài),允許多個(gè)函數(shù)沒(méi)有妥協(xié)的單片集成電路性能。
SOI技術(shù)使最好的CMOS技術(shù)的使用。CMOS很重復(fù),耗電小,建立制造技術(shù)。藍(lán)寶石絕緣子的主要優(yōu)勢(shì),它提供了一個(gè)損失比鋁低一個(gè)數(shù)量級(jí),經(jīng)常使用。結(jié)合SOI CMOS技術(shù)為高度集成多功能集成電路提供了理想的平臺(tái)能夠提供高水平的性能在射頻和微波同時(shí)仍然能夠集成邏輯以及其他功能需要小功率是一個(gè)關(guān)鍵的要求任何電池電力設(shè)備如手機(jī)。
使用UltraCMOS技術(shù),游隼引入了新的芯片擴(kuò)展到微波的頻率限制地區(qū)和直流。
微波地區(qū)進(jìn)入一個(gè)新的x波段核心芯片(PE82670)介紹了。這包括一個(gè)6位移相器,一個(gè)六位數(shù)字衰減器,射頻路徑轉(zhuǎn)換和串行總線接口。這個(gè)芯片是針對(duì)雷達(dá)應(yīng)用程序,它可以用于相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中,它們包含在數(shù)組本身——這里大小和性能是關(guān)鍵。傳統(tǒng)的薄膜技術(shù)在砷化鎵增益和移相器可以使用交換機(jī)和串行并行轉(zhuǎn)換器是必要的。這些自然占據(jù)更多的空間,而且非常昂貴。他們也有不可靠的聲譽(yù)。新PE82670 x波段核心芯片能夠改進(jìn)性能,同時(shí)降低成本和規(guī)模以及提高可靠性。
為將來(lái)這種技術(shù)可以用來(lái)提供芯片旨在5 g的發(fā)展,預(yù)計(jì)20 ghz頻率和更高的預(yù)計(jì)將被使用。
在一方面,游隼已經(jīng)引入了一個(gè)新的射頻開(kāi)關(guān)指定PE42020。在這個(gè)芯片頻率響應(yīng)一直延伸到0赫茲,這不是以前的老技術(shù)。新的性能改進(jìn)和擴(kuò)展范圍允許開(kāi)關(guān)取代繼電器。以前機(jī)電繼電器一直的唯一可行的選擇頻率響應(yīng)擴(kuò)展為0赫茲一直要求。新PE42020之間能夠操作切換0赫茲和8 GHz的上限。
基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的射頻開(kāi)關(guān)的問(wèn)題,有必要兩門(mén)到源克服固有的扭曲。使用一個(gè)電容器,電容器性能的低頻率下降電抗增加。游隼已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種專(zhuān)有的混合信號(hào)的方法來(lái)克服這個(gè)問(wèn)題和擴(kuò)展頻率直流而不影響高頻性能。
這種新技術(shù)有效地結(jié)合之前會(huì)要求固態(tài)邏輯、機(jī)械繼電器或MEMS技術(shù)使用UltraCMOS成一個(gè)芯片技術(shù)。
引入這些新產(chǎn)品展示的多功能性UltaCMOS技術(shù)和方式似乎相當(dāng)路線圖之前,它的未來(lái)。
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