|
理查森RFPD介紹MicroSemi 650 v IGBTs
理查森RFPD,引入了三個(gè)新的650 v non-punch-through,NPT insulated-gate雙極晶體管(IGBTs)Microsemi和全力支持。
新設(shè)備的最新Microsemi之外的家庭45到95 IGBTs。
這些超高速650 v NPT IGBTs代表了最新一代的Microsmi IGBTs優(yōu)化優(yōu)秀強(qiáng)度和最佳傳導(dǎo)和切換損失之間的權(quán)衡。
低飽和壓降低、尾電流、短路評(píng)級(jí),高頻開(kāi)關(guān)和極低的泄漏電流。他們還允許開(kāi)發(fā)人員系統(tǒng)總成本減少使用它們來(lái)取代更昂貴的600 v到650 v mosfet在低速度工業(yè)應(yīng)用150千赫。
整個(gè)家庭的650 v和650 v NPT IGBTs利用Microsemi前沿功率MOS 8技術(shù)并創(chuàng)建新基準(zhǔn)IGBT效率。
AC插座http://www.gastrotommy.com |
當(dāng)前位置:
