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先進(jìn)的電力電子釋放超小p溝道m(xù)osfet鳳崗船型開關(guān)
先進(jìn)的電力電子產(chǎn)品已經(jīng)推出了一個(gè)新的p溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,AP2325GEU6-HF-3,非常適合使用在應(yīng)用程序(如負(fù)荷開關(guān)。
結(jié)合快速交換、低導(dǎo)通電阻和成本效益,MOSFET據(jù)說(shuō)是使用簡(jiǎn)單,有一個(gè)低門電荷。
它的特性包括一個(gè)最低漏源擊穿電壓(BVDSS)的-20 v、最大RDS(在)145 mohms以及最大的連續(xù)漏電流(ID)在25攝氏度時(shí)的-1.8一個(gè)。
拉爾夫Waggitt評(píng)論,總裁/首席執(zhí)行官、高級(jí)電力電子集團(tuán)(美國(guó)):“這些先進(jìn)的功率場(chǎng)效應(yīng)管可以在流行的RoHS /達(dá)到兼容的,無(wú)鹵索- 363超小,表面包被廣泛用于商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用中的一個(gè)小板足跡是必需的。”
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