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青島船形開關聯(lián)電和SuVolta開發(fā)28 nm低功耗過程
聯(lián)華電子和SuVolta宣布聯(lián)合技術開發(fā)的一個集成的28 nm制程過程的深入SuVolta耗盡通道(DDC)晶體管技術進入聯(lián)電的28 nm制程高k金屬門(HKMG)高性能移動(過程)過程。
SuVolta和聯(lián)電正在共同努力利用實現(xiàn)DDC晶體管技術來降低泄漏功率和提高SRAM低壓性能。
這些公司還宣布,這個過程技術將實現(xiàn)一個高度靈活的采用的方法:
一個“DDC PowerShrink低功耗平臺”選項為終極力量和性能優(yōu)勢,所有晶體管利用直接數(shù)字控制技術
一個“DDC DesignBoost晶體管互換”選項,適用于現(xiàn)有設計數(shù)據庫的一個子集,晶體管取代DDC晶體管。典型的應用程序的這個選項是拆卸leakier晶體管晶體管可以減少漏DDC,或取代靜態(tài)存儲器晶體管晶體管bitcell與DDC提高性能和較低的最低工作電壓(Vmin)
“在接下來的幾周和幾個月,我們期望看到前途的結果從聯(lián)合技術開發(fā)與SuVolta進一步驗證功率和性能優(yōu)勢的技術在聯(lián)電DDC的28 nm HKMG過程,”副總裁T.R.紫杉先進技術部門聯(lián)電。“通過合并SuVolta的先進技術進入我們HKMG過程,我們打算提供一個28 nm移動計算過程來補充我們現(xiàn)有的平臺和HKMG技術聚錫安。”
聯(lián)電和SuVolta團隊繼續(xù)讓優(yōu)秀的進步技術的集成DDC聯(lián)電28 nm制程過程。一起工作,我們正在開發(fā)一個過程,使易于移植聯(lián)華電子的客戶的設計,“說,總裁兼首席執(zhí)行官布魯斯•威廉姆斯SuVolta的。“此外,SuVolta是推進未來的移動設備通過提供行業(yè)替代更昂貴的和技術上的挑戰(zhàn)過程技術。”
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