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DRAM行業(yè)前景積極為2014 根據(jù)集邦科技,TrendForce的研究部門(mén),2013年DRAM行業(yè)是關(guān)鍵的一年。 受益于智能手機(jī)和平板電腦的銷售上升,第一層DRAM制造商逐漸轉(zhuǎn)移他們的注意力到移動(dòng)DRAM,此舉造成了最終的PC DRAM生產(chǎn)下降。 在火災(zāi)事故后的時(shí)期SK海力士的無(wú)錫工廠,4 gb模塊合同價(jià)格從17美元上升到33美元,并給DRAM制造商更大的利潤(rùn)空間。 在未來(lái)時(shí)期,產(chǎn)業(yè)內(nèi)的結(jié)構(gòu)調(diào)整和新成立的寡頭市場(chǎng)預(yù)計(jì)為新的機(jī)會(huì)鋪平了道路。 TrendForce預(yù)計(jì),DRAM行業(yè)在2014年顯示以下趨勢(shì): •2014年DRAM收入上升了12%,顯示出增長(zhǎng)連續(xù)第二年金融危機(jī) 由于DRAM行業(yè)的轉(zhuǎn)型成一個(gè)寡頭壟斷的行業(yè),臺(tái)灣DRAM制造商的出口,以及SK海力士的火災(zāi)事故的影響2 h13 DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品銷售收入預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)32.5%,同比352億年的352億美元。看著2014年的困難與20 nm遷移過(guò)程增加,行業(yè)供應(yīng)增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將放緩。ASP的,與此同時(shí),預(yù)期下降一個(gè)循序漸進(jìn)的基礎(chǔ)上生產(chǎn)成本提高。與DRAM制造商不積極尋求遷移到新的制造技術(shù)和策略的焦點(diǎn)轉(zhuǎn)向使產(chǎn)品混合更可調(diào),TrendForce認(rèn)為明年的DRAM市場(chǎng)價(jià)值將上升12%,達(dá)到395億美元。今年預(yù)計(jì)將在DRAM制造商展示最嚴(yán)格的行為生產(chǎn)結(jié)束自2009年金融危機(jī)。 •行業(yè)變得更加盈利能力穩(wěn)定2014年微米的官方收購(gòu)爾必達(dá)和市場(chǎng)的寡頭壟斷的轉(zhuǎn)化 在2013年8月正式收購(gòu)爾必達(dá)后,新的微米集團(tuán)收入的規(guī)模已經(jīng)達(dá)到了接近SK海力士。在一起,SK海力士,三星和微米DRAM行業(yè)的大約占90%的市場(chǎng)份額,這一跡象表明,市場(chǎng)已正式成為寡頭。每個(gè)三大DRAM制造商在業(yè)界擁有自己的閃存芯片制造技術(shù),靈活調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的空間,DRAM市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)預(yù)計(jì)將保持穩(wěn)定,而盈利能力的趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)到2014年。 •移動(dòng)DRAM正式成為主流,隨著個(gè)人電腦DRAM的比例下降 由于智能手機(jī)和平板電腦的銷售增長(zhǎng),越來(lái)越多的DRAM制造商已經(jīng)進(jìn)入移動(dòng)DRAM市場(chǎng),并逐漸減少電腦DRAM生產(chǎn)的數(shù)量。2014年,TrendForce項(xiàng)目移動(dòng)DRAM將占近36%的輸出基地和DRAM市場(chǎng)成為新的主流產(chǎn)品,而PC DRAM的市場(chǎng)份額只有30%。查看特定移動(dòng)DRAM產(chǎn)品線,LPDDR3目前預(yù)期增長(zhǎng)的比例以更快的速度在智能手機(jī)和平板電腦的應(yīng)用。除了說(shuō)移動(dòng)設(shè)備,預(yù)計(jì)LPDDR3 Ultralike也施加相當(dāng)大的影響市場(chǎng)由于其能夠節(jié)省更多的權(quán)力比傳統(tǒng)的DDR3和允許更長(zhǎng)的硬件操作時(shí)間�？紤]整體勢(shì)頭在需求方面,TrendForce相信LPDDR3的供應(yīng)將正式超過(guò)由2 h14因?yàn)樗蔀榱诵袠I(yè)內(nèi)的主流產(chǎn)品。 •使用2 xnm制造過(guò)程在2014年上升,設(shè)計(jì)困難影響遷移的進(jìn)步 2 h13、DRAM制造商所遇到各種困難時(shí)遷移到2 xnm技術(shù)。由于物理限制,甚至公司如三星和海力士SK有問(wèn)題提高生產(chǎn)收益率和交易量。目前設(shè)備的購(gòu)買(mǎi)需要實(shí)現(xiàn)25 nm-and-under過(guò)程,耗費(fèi)了大量的財(cái)力將明顯大于當(dāng)浸掃描儀。由于上述局限性,大規(guī)模生產(chǎn)不太可能取得最新的目前進(jìn)展,確切的時(shí)間表當(dāng)DRAM制造商將轉(zhuǎn)換到低于25 nm過(guò)程仍然不確定。TrendForce預(yù)計(jì),DRAM制造商仍將主要使用2 xnm技術(shù)早在2014年,但相信遷移進(jìn)展可能停止設(shè)計(jì)相關(guān)的障礙。 •DDR4引入2 h14和用于服務(wù)器DRAM第一 隨著動(dòng)力學(xué)在需求方面的變化和便攜式設(shè)備的數(shù)量增加,內(nèi)存組件之間的界限越來(lái)越不清楚相比前幾個(gè)月。移動(dòng)DRAM正在使用的筆記本電腦市場(chǎng),例如,而低成本平板電腦制造商正開(kāi)始考慮使用PC DRAM出于成本考慮。為服務(wù)器DRAM,不僅越來(lái)越多的強(qiáng)調(diào)保持穩(wěn)定,但也保持速度和低功耗。根據(jù)規(guī)格釋放信號(hào),電壓DDR4可能只是1.2 v,雖然它的速度可以達(dá)到高達(dá)3200 Mhz。第一層DRAM制造商預(yù)計(jì)將在2014年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)DDR4,但只適用于組件服務(wù)器DRAM在初始階段。該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在后期引入個(gè)人電腦市場(chǎng),并可能在2015年取代DDR3成為市場(chǎng)主流。
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