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研究人員期待硅半導(dǎo)體替代
2013年11月12
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評(píng)論
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研究人員在美國(guó)相信他們已經(jīng)克服的一個(gè)主要障礙在發(fā)展中一個(gè)功能替代硅半導(dǎo)體。
硅半導(dǎo)體是無(wú)處不在,現(xiàn)代電子產(chǎn)品但這些設(shè)備有局限性,包括未能正常運(yùn)作在非常高的溫度。
一個(gè)有前途的替代是一個(gè)半導(dǎo)體由鋁和氮形成氮化鋁(AlN),這是更強(qiáng)大和更穩(wěn)定的比它的對(duì)手,可功能硅在較高的溫度下,是壓電,是透明的,可以發(fā)出,可見(jiàn)光。
傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)運(yùn)行溫度是層高達(dá)1150攝氏度,并提供有限的控制層的厚度�，F(xiàn)在一個(gè)新的技術(shù)是聲稱(chēng)提供了一種方法來(lái)生產(chǎn)高質(zhì)量的氮化鋁(AlN)層厚度和一半的原子尺度的溫度的其他方法。
處處長(zhǎng)Neeraj尼泊爾和同事的美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室在華盛頓特區(qū),是形成使用原子層外延層(ALE),材料是“成長(zhǎng)”一層層地由順序雇兩個(gè)自限性到表面化學(xué)反應(yīng)。
“例如,你成長(zhǎng)氮化鋁將注入脈沖的鋁前體進(jìn)入增長(zhǎng)區(qū)域,它將外套所有表面,”尼泊爾在一份聲明中說(shuō)。
在清除多余的鋁前體嚇跑,將“構(gòu)建”水晶通過(guò)注射脈沖的氮前體進(jìn)入增長(zhǎng)區(qū)域,它與鋁前體反應(yīng)在表面形成一層AlN。然后你會(huì)清除任何多余的氮和反應(yīng)產(chǎn)物掉并重復(fù)這個(gè)過(guò)程。
在這一過(guò)程中,科學(xué)家制造了一種材料品質(zhì),類(lèi)似在更高溫度下合成,但在條件允許它被集成在新的方式為制造設(shè)備的技術(shù),如晶體管和開(kāi)關(guān)。
尼泊爾說(shuō)這項(xiàng)工作擴(kuò)大潛在的新的先進(jìn)的特種材料,可以用于包括下一代高頻射頻電子產(chǎn)品,比如那些用于高速數(shù)據(jù)傳輸和手機(jī)服務(wù)。
工作描述在應(yīng)用物理快報(bào)》上一篇《,外延生長(zhǎng)的用途AlN電影通過(guò)原子層外延。
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